原子级粗糙度对垂直β-Ga₂O₃肖特基势垒二极管及高温性能的影响
β-氧化镓(β-Ga2O3)是制造下一代大功率电子器件的理想材料之一。其中,垂直结构肖特基势垒二极管(SBD)因其能承受大电流和高电压而备受关注。器件的性能,特别是反向漏电流和击穿特性,对金属/半导体界面的质量极为敏感。界面处的缺陷和不平整会引起电场集中,导致
β-氧化镓(β-Ga2O3)是制造下一代大功率电子器件的理想材料之一。其中,垂直结构肖特基势垒二极管(SBD)因其能承受大电流和高电压而备受关注。器件的性能,特别是反向漏电流和击穿特性,对金属/半导体界面的质量极为敏感。界面处的缺陷和不平整会引起电场集中,导致
2025年,《ScienceAdvances》上一篇带着DOI号(10.1126/sciadv.adw8462)的论文,给物理学界投下了颗重磅炸弹。
发表在《自然》题为《频率依赖声子各向异性原子尺度成像》的研究是材料科学领域的一个重要里程碑,它预示着一个以空前精度探测物质基本性质的新时代的到来。通过引入一种能够直接在原子和元素尺度上可视化原子振动方向依赖性(即声子各向异性)的全新方法,该研究超越了传统光谱学
2024 年 10 月,华盛顿大学 David Baker 教授与 DeepMind 的 Demis Hassabis 和 John Jumper 共同获得诺贝尔化学奖,前者开创了利用计算方法设计自然界不存在蛋白质的全新方向,后者推动了蛋白质三维结构预测的突破
生物 诺奖 原子级 得主david rfdiffusion3 2025-09-23 19:44 5
本文介绍了VLSI Symposium 2025上发布的一项关键技术突破,通过原子级氟掺杂提升IGZO晶体管在高温下的可靠性,实现395K、4MV/cm下ΔVTH小于44mV的性能,刷新氧化物晶体管的国际纪录,该突破对IGZO晶体管在DRAM、存算一体、3D集